[1 CON] Mosfet IRF9640 TO-220 11A 200V Kênh P (IRF9640PB F9640 9640)

Giới thiệu [1 CON] Mosfet IRF9640 TO-220 11A 200V Kênh P (IRF9640PB F9640 9640)

MOSFET IRF9640 IRF9640PB TO-220 11A 200V (Kênh P)

Mô tả sản phẩm:
Mosfet, viết tắt của "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor" trong tiếng Anh, là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) tức một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet có khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn nên nó được sử dụng nhiều trong các bộ dao động tạo ra từ trường. Vì do đóng cắt nhanh làm cho dòng điện biến thiên. Nó thường thấy trong các bộ nguồn xung và cách mạch điều khiển điện áp cao.

Thông số kỹ thuật:
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Package / Case TO-220-3


Datasheet:
https://www.vishay.com/docs/91086/sihf9640.pdf
Giá DBR